參數(shù)資料
型號(hào)： W963B6BBN70E
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
文件頁數(shù)： 18/29頁
文件大?。?/td> 948K
代理商： W963B6BBN70E
W963B6BBN
Timing Waveforms, continued
Power Down Program Timing
PE
ADDRESS
(A20-16)
tEAS
CE1
tEPS
tEAH
tEP
tEPH
KEY
Note:
CE2 must be High for Power Down Program operation.
Any other inputs not specified above can be either High or Low.
Power Down Entry and Exit Timing
CE2
DQ
High-Z
tC2LP
tCSP
Power Down Entry
Power Down Mode
Power Down Exit
CE1
tCHS
tCHH (tCHHN)
Note:
This Power Down mode can be also used for Power-up #2 below except that tCHHN can not be used at Power-up timing.
Power-up Timing #1
CE2
VDD
VDD min
tC2LH
CE1
tCHS
tCHH
0V
Note:
The tC2LH specifies after VDD reaches specified minimum level.
Publication Release Date: March 11, 2003
- 25 -
Revision A1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W963B6BBN80I 512K X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA48
WED3DG6332V10D2 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168
WF512K32-60G4M5A 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 60 ns, CQFP68
WS128K32L-17G1UQA 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 17 ns, CQFP68
WS128K32L-20G1UQ 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W963L6ABN 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM
W963L6ABN70 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM
W963L6ABN70E 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM
W963L6ABN70I 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM
W963L6ABN80 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM
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