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參數(shù)資料
| 型號： | W963B6BBN70E |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 19/29頁 |
| 文件大小： | 948K |
| 代理商： | W963B6BBN70E |
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W963B6BBN
Timing Waveforms, continued
Power-up Timing #2
CE2
VDD
VDD min
tC2HL
CE1
tC2LP
0V
tCSP
tCHH
tC2HL
tCHS
Note:
The tC2HL specifies from CE2 low to High transition after VDD reaches specified minimum level.
CE1 must be brought to High prior to or together with CE2 Low to High transition.
Standby Entry Timing after Read or Write
CE1
OE
WE
Active (Read)
Standby
tCHOX
Active (Write)
Standby
tCHWX
Note:
Both tCHOX and tCHWX define the earliest entry timing for Standby mode. If either of timing is not satisfied, it takes tRC(min)
period from either last address transition of A0, A1 and A2, or CE1 Low to High transition.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W963B6BBN80I | 512K X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA48 |
| WED3DG6332V10D2 | 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168 |
| WF512K32-60G4M5A | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 60 ns, CQFP68 |
| WS128K32L-17G1UQA | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 17 ns, CQFP68 |
| WS128K32L-20G1UQ | 128K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W963L6ABN | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963L6ABN70 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963L6ABN70E | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963L6ABN70I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
| W963L6ABN80 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K WORD X 16 BIT LOW POWER PSEUDO SRAM |
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