參數(shù)資料
型號(hào)： W9712G8JB-3
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： DDR DRAM, PBGA60
封裝： 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60
文件頁(yè)數(shù)： 38/86頁(yè)
文件大小： 1039K
代理商： W9712G8JB-3
W9712G8JB
Publication Release Date: Oct. 12, 2010
- 43 -
Revision A01
9.11
AC Characteristics
9.11.1 AC Characteristics and Operating Condition for -18 speed grade
SYM.
SPEED GRADE
DDR2-1066 (-18)
UNIT25
NOTES
Bin(CL-tRCD-tRP)
7-7-7
PARAMETER
MIN.
MAX.
tRCD
Active to Read/Write Command Delay Time
13.125
nS
23
tRP
Precharge to Active Command Period
13.125
nS
23
tRC
Active to Ref/Active Command Period
53.125
nS
23
tRAS
Active to Precharge Command Period
40
70000
nS
4,23
tRFC
Auto Refresh to Active/Auto Refresh command period
75
nS
5
tREFI
Average periodic
refresh Interval
0°C
≤ TCASE ≤ 85°C
15.6
μS
5
85°C
< TCASE ≤ 95°C
7.8
μS
5,6
tCCD
CAS to CAS command delay
2
nCK
tCK(avg)
Average clock period
tCK(avg) @ CL=4
3.75
7.5
nS
30,31
tCK(avg) @ CL=5
3
7.5
nS
30,31
tCK(avg) @ CL=6
2.5
7.5
nS
30,31
tCK(avg) @ CL=7
1.875
7.5
nS
30,31
tCH(avg)
Average clock high pulse width
0.48
0.52
tCK(avg)
30,31
tCL(avg)
Average clock low pulse width
0.48
0.52
tCK(avg)
30,31
tAC
DQ output access time from CLK/ CLK
-350
350
pS
35
tDQSCK
DQS output access time from CLK / CLK
-325
325
pS
35
tDQSQ
DQS-DQ skew for DQS & associated DQ signals
175
pS
13
tCKE
CKE minimum high and low pulse width
3
nCK
7
tRRD
Active to active command period for 1KB page size
7.5
nS
8,23
tFAW
Four Activate Window for 1KB page size
35
nS
23
tWR
Write recovery time
15
nS
23
tDAL
Auto-precharge write recovery + precharge time
WR + tnRP
nCK
24
tWTR
Internal Write to Read command delay
7.5
nS
9,23
tRTP
Internal Read to Precharge command delay
7.5
nS
4,23
tIS (base)
Address and control input setup time
125
pS
10, 26,
40,42,43
tIH (base)
Address and control input hold time
200
pS
11, 26,
40,42,43
tIS (ref)
Address and control input setup time
325
pS
10,26,
40,42,43
tIH (ref)
Address and control input hold time
325
pS
11,26,
40,42,43
tIPW
Address and control input pulse width for each input
0.6
tCK(avg)
tDQSS
DQS latching rising transitions to associated clock edges
-0.25
0.25
tCK(avg)
28
tDSS
DQS falling edge to CLK setup time
0.2
tCK(avg)
28
tDSH
DQS falling edge hold time from CLK
0.2
tCK(avg)
28
tDQSH
DQS input high pulse width
0.35
tCK(avg)
tDQSL
DQS input low pulse width
0.35
tCK(avg)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W971GG6IB-25 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
W9751G6JB-25A 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84
W9751G8JB-18 DDR DRAM, PBGA84
W9812G21H-6I 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO86
W9812G21H-6C 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86
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參數(shù)描述
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W971GG6JB-18 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GB DDR2 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 1.875NS
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W971GG6JB25I 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
W971GG6JB-25I 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY
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