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參數(shù)資料
| 型號： | W986432EH-7 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 8/48頁 |
| 文件大小： | 1180K |
| 代理商： | W986432EH-7 |
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W986432EH / W9864G2EH
- 16 -
13. AC CHARACTERISTICS
(VCC = 3.3V±0.3V, VSS = 0V, Ta = 0 to 70 °C for –5/-6/-7) (Notes: 5, 6.)
-5
-6
-7
PARAMETER
SYM.
MIN. MAX. MIN.
MAX. MIN. MAX.
UNIT NOTE
Ref/Active to Ref/Active Command Period
tRC
54
60
65
Active to precharge Command Period
tRAS
40 100000
42
100000
45 100000
Active to Read/Write Command Delay
Time
tRCD
14
18
20
nS
Read/Write(a) to Read/Write(b) Command
Period
tCCD
1
tCK
Precharge to Active(b) Command Period
tRP
14
18
20
Active(a) to Active(b) Command Period
tRRD
10
12
14
nS
Write Recovery Time
CL* = 2
CL* = 3
tWR
2
tCK
CLK Cycle Time
CL* = 2
tCK
7
1000
7.5
1000
8
1000
CL* = 3
5
1000
6
1000
7
1000
CLK High Level
tCH
2
7
CLK Low Level
tCL
2
7
Access Time from CLK
CL* = 2
tAC
5.5
6
CL* = 3
4.5
5
5.5
Output Data Hold Time
tOH
1.5
2
Output Data High Impedance Time
tHZ
1.5
5
2
6
2
7
Output Data Low Impedance Time
tLZ
0
Power Down Mode Entry Time
tSB
0
5
0
6
0
7
Transition Time of CLK (Rise and Fall)
tT
0.5
1
0.5
1
0.5
1
Data-in-Set-up Time
tDS
1.5.
1.5
7
Data-in Hold Time
tDH
1
7
Address Set-up Time
tAS
1.5
7
Address Hold Time
tAH
1
7
CKE Set-up Time
tCKS
1.5
7
CKE Hold Time
tCKH
1
7
Command Set-up Time
tCMS
1.5
7
Command Hold Time
tCMH
1
nS
7
Refresh Time
tREF
64
mS
Mode Register Set Cycle Time
tRSC
10
12
14
nS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| WF2M16W-120DAC5A | 2M X 16 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CDSO56 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| W9864G2GH-6 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
| W9864G2GH-6C | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 4 BANKS X 32BITS SDRAM |
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