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參數(shù)資料
| 型號： | W9864G6GB-6I |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 6.40 X 10.10 MM, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 6/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | W9864G6GB-6I |
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W9864G6GB
Publication Release Date:Aug. 13, 2007
- 14 -
Revision A05
9.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
9.1
Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
SYM.
RATING
UNIT
NOTES
Input, Column Output Voltage (-6I)
VIN, VOUT
-0.3 ~ VDD + 0.3
V
1
Input, Column Output Voltage (-7/-
7I)
VIN, VOUT
2.7V~3.6V
V
1
Power Supply Voltage
VDD, VDDQ
-0.3 ~ 4.6
V
1
Operating Temperature( -7)
TOPR
0 ~ 70
°
C
1
Operating Temperature (-6I/-7I)
TOPR
-40 ~ 85
°
C
1
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ 150
°
C
1
Soldering Temperature (10s)
TSOLDER
260
°
C
1
Power Dissipation
PD
1
W
1
Short Circuit Output Current
IOUT
50
mA
1
Note:
Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability
of the device.
9.2
Recommended DC Operating Conditions
(TA = 0 to 70°C for -7, TA = -40 to 85°C for -6I/-7I)
PARAMETER
SYM.
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
NOTES
Supply Voltage (Normal operation)
VDD
3.0
3.3
3.6
V
2
Power Supply Voltage(-7/-7I)
VDD
2.7
3.3
3.6
V
2
Supply Voltage for I/O Buffer
VDDQ
3.0
3.3
3.6
V
2
Power Supply Voltage for I/O Buffer(-7/-
7I)
VDDQ
2.7
3.3
3.6
V
2
Input High Voltage
VIH
2.0
-
VDD + 0.3
V
2
Input Low Voltage
VIL
-0.3
-
0.8
V
2
Note:
VIH (max.) = VDD/VDDQ+1.2V for pulse width < 5 nS, VIL (min.) = VSS/VSSQ-1.2V for pulse width < 5 nS
9.3
Capacitance
(VDD =3V±0.3V for-6I ,VDD=2.7V~3.6V for -7/-7I , TA = 25
°C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
Input Capacitance
(A0 to A11, BS0, BS1, CS , RAS , CAS , WE , , CKE)
Ci1
2.5
4
pf
Input Capacitance (CLK)
CCLK
2.5
4
pf
Input/Output Capacitance (DQ0
DQ15)
Co
4
6.5
pf
Input Capacitance DQM
Ci2
3.0
5.5
pf
Note:
These parameters are periodically sampled and not 100% tested
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WE256K32-250G2TMEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CQFP68 |
| WE256K32-200G2TCE | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68 |
| WE256K32-300G2TIE | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CQFP68 |
| WE256K32-150G2TCEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CQFP68 |
| WE256K32-200G2TIEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9864G6GH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9864G6GH-5 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9864G6GH-6 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:4*16BIT SDRAM |
| W9864G6GH-6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 4 BANKS 】 16 BITS SDRAM |
| W9864G6GH-7 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:64M 3.3V SDRAM 4M X 16 |
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