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參數(shù)資料
| 型號： | XP151A11B0MR |
| 廠商： | TOREX SEMICONDUCTOR LTD. |
| 英文描述： | SEE A3214EUA-T |
| 中文描述： | 功率MOS FET |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | XP151A11B0MR |
803
11
DC Characteristics
Ta=25
°
C
UNITS
μ
A
μ
A
V
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
Drain Cut-off Current
Gate-Source Leakage Current
Idss
Igss
Vds = 30V , Vgs = 0V
Vgs =
±
20V , Vds = 0V
Id = 1mA , Vds = 10V
10
±
10
3.0
Gate-Source Cut-off Voltage
Vgs (off )
1.0
Drain-Source On-state Resistance
( note )
Id = 0.5A , Vgs = 10V
0.09
0.13
0.12
0.17
Id = 0.5A , Vgs = 4.5V
Forward Transfer Admittance
( note )
Body Drain Diode
Forward Voltage
( note ) : Effective during pulse test.
Dynamic Characteristics
Ta=25
°
C
UNITS
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
Input Capacitance
Ciss
150
pF
Output Capacitance
Coss
Crss
Vds = 10V , Vgs = 0V
90
pF
pF
Feedback Capacitance
f = 1 MHz
30
Switching Characteristics
Ta=25
°
C
UNITS
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
Turn-on Delay Time
td ( on )
10
ns
Rise Time
tr
Vgs = 5V , Id = 0.5A
15
ns
Turn-off Delay Time
td ( off )
Vdd = 10V
25
ns
ns
Fall Time
tf
45
Thermal Characteristics
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Thermal Resistance
Implement on a ceramic
PCB
( channel-ambience )
Id = 0.5A , Vds = 10V
| Yfs |
Rds ( on )
S
2.4
°
C / W
250
Rth ( ch-a )
Vf
If = 1A , Vgs = 0V
V
0.8
1.1
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| XP151A12A2MR_1 | 制造商:TOREX 制造商全稱:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
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