參數(shù)資料
型號(hào)： ZXTP2008G
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
中文描述： 30V的進(jìn)步黨低飽和晶體管采用SOT223
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 111K
代理商： ZXTP2008G
ZXTP2008G
ISSUE 1 - J UNE 2005
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTP2008GTA 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2008GTC 30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2008Z 30V PNP LOW SATURATION MEDUIM POWER TRANSISTOR IN SOT89
ZXTP2008ZTA 30V PNP LOW SATURATION MEDUIM POWER TRANSISTOR IN SOT89
ZXTP2009Z 40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTP2008GTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2008GTC 制造商:ZETEX 制造商全稱(chēng):ZETEX 功能描述:30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223
ZXTP2008Z 制造商:DIODES 制造商全稱(chēng):Diodes Incorporated 功能描述:30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
ZXTP2008ZTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30V PNP Low Sat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTP2009Z 制造商:DIODES 制造商全稱(chēng):Diodes Incorporated 功能描述:40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR
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