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參數(shù)資料
| 型號： | μPD29F008L |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 8 M-Bit CMOS 3.0 V-Only Flash Memory(8M CMOS 3V工作電壓的閃存) |
| 中文描述： | 8 m位的CMOS 3.0 V型只有閃存（800萬的CMOS 3V的工作電壓的閃存） |
| 文件頁數(shù)： | 14/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 172K |
| 代理商： | ΜPD29F008L |
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Preliminary Data Sheet
14
P
PD29F008L
Electrical Characteristics (Preliminary)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Test conditions
Ratings
Unit
Supply voltage
V
CC
with respect to GND
e
0.5 to +5.5
V
Input voltage
V
I
with respect to GND
e
0.5
Note
to +5.5
V
V
I
with respect to GND, A9, /RESET, /OE
e
0.5
Note
to +13.5
Output voltage
V
O
with respect to GND
e
0.5
Note
to +5.5
V
Operating ambient temperature
T
A
e
20 to +70
q
C
Storage temperature
T
stg
e
65 to +125
q
C
Storage temperature (under Bias)
T
bias
e
20 to +80
q
C
Note
V
I
, V
O
=
e
2.0 V (MIN.) for pulse width
d
20 ns.
Caution
Exposing the device to stress above those listed in absolute maximum ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational sections of this characteristics. Exposure to absoulte maximum
rating conditions for extended periods may affect device reliability.
Capacitance (T
A
= 25
q
C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Input capacitance
C
I
V
IN
= 0 V
6.0
7.5
pF
Output capacitance
C
O
V
OUT
= 0 V
8.5
12.0
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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