參數(shù)資料
型號(hào)： μPD29F008L
廠商： NEC Corp.
英文描述： 8 M-Bit CMOS 3.0 V-Only Flash Memory(8M CMOS 3V工作電壓的閃存)
中文描述： 8 m位的CMOS 3.0 V型只有閃存（800萬(wàn)的CMOS 3V的工作電壓的閃存）
文件頁(yè)數(shù)： 17/32頁(yè)
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代理商： ΜPD29F008L
Preliminary Data Sheet
17
P
PD29F008L
AC Characteristics (Recommended operating conditions unless otherwise noted)
P
PD29F008L-B12
P
PD29F008L-B15
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Address to output delay
t
ACC
/CE = /OE = V
IL
120
150
ns
/CE to output delay
t
CE
/OE = V
IL
120
150
ns
/OE to output delay
t
OE
/CE = V
IL
50
55
ns
/OE or /CE output float delay
t
DF
/CE = V
IL
or /OE = V
IL
30
40
ns
Address to output hold
t
OH
/CE = /OE = V
IL
0
0
ns
Remark
t
DF
is the time from inactivation of /CE or /OE to high-impedance state output.
Read Mode Timing Chart
Ax
(Input)
I/Ox
(Output)
/CE (Input)
/OE (Input)
/WE (Input)
Hi-Z
Hi-Z
Data Out
t
OEH
t
OH
t
OE
Note1
t
CE
Note1
t
RC
Valid address
t
ACC
Note1
t
DF
Note2
Notes 1.
For read operation, the definition of access time is as follows.
Access time definition
/CE input condition
/OE input conditon
t
ACC
before stabilizing address
before (t
ACC
e
t
OE
)
t
OE
after (t
ACC
e
t
OE
)
t
CE
after stabilizing address
before (t
CE
e
t
OE
)
t
OE
after (t
CE
e
t
OE
)
2.
t
DF
is the time from inactivation of /CE or /OE to high-impedance state output.
Unit
Test condition
Symbol
Parameter
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PDF描述
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