參數(shù)資料
型號(hào)： 200GB120DN2
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 159K
代理商： 200GB120DN2
7
Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2
Typ. switching time
I = f (I
C
) ,
inductive load , T
j
= 125°C
par.:
V
CE
= 600 V,
V
GE
= ± 15 V,
R
G
= 4.7
0
100
200
300
A
500
I
C
1
10
2
10
3
10
4
10
ns
t
tdon
tr
tdoff
tf
Typ. switching time
t = f (R
G
) ,
inductive load ,
T
j
= 125°C
par.:
V
CE
= 600 V,
V
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40
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R
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10
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3
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ns
t
tdon
tr
tdoff
tf
Typ. switching losses
E = f (I
C
) ,
inductive load ,
T
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= 125°C
par.:
V
CE
= 600 V,
V
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= ± 15 V,
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300
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10
20
30
40
50
60
70
80
mWs
100
E
Eon
Eoff
Typ. switching losses
E = f (R
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) ,
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,
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V
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= 600V,
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E
Eon
Eoff
相關(guān)PDF資料
PDF描述
200GL120DN2 IGBT Module
200GT120DN2 IGBT Module
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