參數(shù)資料
型號(hào)： 200GB120DN2
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 159K
代理商： 200GB120DN2
8
Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2
Forward characteristics of fast recovery
reverse diode
I
F
= f(V
F
)
parameter:
T
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
3.0
V
F
0
50
100
150
200
250
300
A
400
I
F
T
j
=25°C
=125°C
j
T
Transient thermal impedance Diode
Z
th JC
=
(
t
p
)
parameter:
D = t
p
/
T
-4
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
Z
thJC
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
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PDF描述
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