參數(shù)資料
型號： 200GB120DN2
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 159K
代理商： 200GB120DN2
4
Oct-21-1997
BSM 200 GB 120 DN2
Power dissipation
P
tot
=
(
T
C
)
parameter:
T
j
≤
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
W
1500
P
tot
Safe operating area
I
C
=
(
V
CE
)
parameter:
D
= 0
, T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
C
10
1
10
2
10
3
V
V
CE
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 49.0μs
Collector current
I
C
=
(
T
C
)
parameter:
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
A
300
I
C
Transient thermal impedance IGBT
Z
th JC
=
(
t
p
)
parameter:
D = t
p
/
T
-5
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
Z
thJC
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
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PDF描述
200GL120DN2 IGBT Module
200GT120DN2 IGBT Module
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