參數(shù)資料
型號(hào)： 28F016XS
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 16兆位同步閃存（1,600位同步閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 14/54頁
文件大?。?/td> 830K
代理商： 28F016XS
28F016XS FLASH MEMORY
E
14
2.1
Lead Descriptions
(Continued)
Symbol
Type
Name and Function
GND
SUPPLY
GROUND FOR ALL INTERNAL CIRCUITRY:
Do not leave any ground pins floating.
NC
NO CONNECT:
Lead may be driven or left floating.
3.0
MEMORY MAPS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
128-Kbyte Block
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128-Kbyte Block
128-Kbyte Block
128-Kbyte Block
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128-Kbyte Block
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x8 Mode
000000
1FFFFF
1BFFFF
1DFFFF
19FFFF
17FFFF
15FFFF
13FFFF
11FFFF
0FFFFF
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0A0000
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040000
01FFFF
A
20-0
0532_03
Figure 4. 28F016XS Memory Map
(Byte-Wide Mode)
64-Kword Block
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0
1
2
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4
5
6
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14
15
x16 Mode
FFFFF
00000
EFFFF
DFFFF
CFFFF
C0000
AFFFF
9FFFF
8FFFF
7FFFF
6FFFF
60000
4FFFF
3FFFF
2FFFF
1FFFF
0FFFF
A
20-1
0532_04
Figure 5. 28F016XS Memory Map
(Word-Wide Mode)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F020 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器)
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F128 3 Volt Intel StrataFlash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F0181-1SR-10 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric)
28F020 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F020-150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020G12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020N12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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