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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F016XS |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位同步閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/54頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 830K |
| 代理商： | 28F016XS |
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28F016XS FLASH MEMORY
E
40
5.8
V
CC
= 3.3V ± 5%, T
A
= 0°C to +70°C
AC Characteristics for WE#
—Controlled Write Operations
(1)
Versions
28F016XS-20
28F016XS-25
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
t
AVAV
Write Cycle Time
75
75
ns
t
VPWH
1,2
V
Setup to WE# Going
High
3
100
100
ns
t
PHEL
RP# Setup to CE
X
# Going
Low
3,7
480
480
ns
t
ELWL
CE
X
# Setup to WE# Going
Low
3,7
0
0
ns
t
AVWH
Address Setup to WE#
Going High
2,6
60
60
ns
t
DVWH
Data Setup to WE# Going
High
2,6
60
60
ns
t
WLWH
WE# Pulse Width
60
60
ns
t
WHDX
Data Hold from WE# High
2
5
5
ns
t
WHAX
Address Hold from WE#
High
2
5
5
ns
t
WHEH
CE
X
# hold from WE# High
3,7
5
5
ns
t
WHWL
WE# Pulse Width High
15
15
ns
t
GHWL
Read Recovery before
Write
3
0
0
ns
t
WHRL
WE# High to RY/BY#
Going Low
3
100
100
ns
t
RHPL
RP# Hold from Valid
Status Register (CSR,
GSR, BSR) data and
RY/BY# High
3
0
0
ns
t
PHWL
RP# High Recovery to
WE# Going Low
3
480
480
ns
t
WHCH
Write Recovery before
Read
20
20
ns
t
QVVL
1,2
V
Hold from Valid Status
Register (CSR, GSR, BSR)
Data and RY/BY# High
3
0
0
μs
t
WHQV
1
Duration of Program
Operation
3,4,
5,8
5
9
TBD
5
9
TBD
μs
t
WHQV
2
Duration of Block Erase
Operation
3,4
0.6
1.6
20
0.6
1.6
20
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
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| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020N12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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