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參數(shù)資料
| 型號： | 28F320B3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 智能高級啟動3座4 - ，8 - ，16 - ，32 - Mbit閃存家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 62/82頁 |
| 文件大小： | 749K |
| 代理商： | 28F320B3 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
56
Preliminary
13.3
SRAM Data Retention Operation
NOTES:
1. Typical values at nominal S-V
CC
, T
= +25
°
C.
2. S-CS
1
# > S-V
CC
–
0.2 V, S-CS
2
> S-V
CC
–
0.2 V (S-CS
1
# controlled) or S-CS
2
< 0.2 V (S-CS
2
controlled).
Figure 26. AC Waveform: SRAM Write Operation
Sym
Parameter
Device
Note
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
V
DR
S-V
CC
for Data Retention
4/8-
Mbit
1, 2
1.5
–
3.3
V
S-CS
1
#
≥
S-V
CC
–
0.2 V
I
DR
Data Retention Current
4-Mbit
1, 2
–
–
5
μA
S-VCC = 1.5 V
S-CS
1
#
≥
S-V
CC
–
0.2 V
8-Mbit
–
–
25
t
SDR
Data Retention Setup
Time
4/8-
Mbit
1
0
–
–
ns
See Data Retention
Waveform
t
RDR
Recovery Time
4/8-
Mbit
1
t
RC
–
–
ns
High Z
Data In
Address Stable
Device
Address Selection
Standby
ADDRESSES (A)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CS
1
# (E
1
)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
UB#, LB#
High Z
V
IH
V
IL
V
IH
W1
W8
CS
2
(E
2
)
V
IL
V
IH
W9
W6
W5
W2
W3
W4
W7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F640P3 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 28F320C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F800C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F160C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F320D18 | 1.8 Volt Intel Dual-Plane Flash Memory(1.8 V Intel 雙平面閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F320C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| 28F320J3D75 | 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F320J5 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash MEMORY TECHNOLOGY 32 AND 64 MBIT |
| 28F320J5_02 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory |
| 28F320S3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:WORD-WIDE FlashFile MEMORY FAMILY |
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