參數資料
型號： 2N5551TA
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier
中文描述： 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數： 2/12頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： 2N5551TA
2
Electrical Characteristics
TA = 25
°
C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 120 V, I
E
= 0,
V
CB
= 120 V, I
E
= 0, T
A
= 100
°
C
V
EB
= 4.0 V, I
C
= 0
160
180
6.0
V
V
V
nA
μ
A
nA
50
50
50
I
EBO
Emitter Cutoff Current
I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 50 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 50 mA, I
B
= 5.0 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 50 mA, I
B
= 5.0 mA
80
80
30
250
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.15
0.20
1.0
1.0
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
I
= 10 mA, V
CE
= 10 V,
f = 100 MHz
V
= 10 V, I
E
= 0,
f = 1.0 MHz
V
BE
= 0.5 V, I
C
= 0,
f = 1.0 MHz
I
= 1.0 mA, V
CE
= 10 V,
f = 1.0 kHz
I
C
= 250
μ
A, V
CE
= 5.0 V,
R
S
=1.0 k
, f=10 Hz to 15.7 kHz
100
300
MHz
C
obo
Output Capacitance
6.0
pF
C
ibo
Input Capacitance
20
pF
h
fe
Small-Signal Current Gain
50
250
NF
Noise Figure
8.0
dB
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
Spice Model
NPN (Is=2.511f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=242.6 Ne=1.249 Ise=2.511f Ikf=.3458 Xtb=1.5 Br=3.197 Nc=2
Isc=0 Ikr=0 Rc=1 Cjc=4.883p Mjc=.3047 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=18.79p Mje=.3416 Vje=.75 Tr=1.202n Tf=560p
Itf=50m Vtf=5 Xtf=8 Rb=10)
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
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