參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5551TA
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier
中文描述： 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： 2N5551TA
ITEM DESCRIPTION
Base of Package to Lead Bend
Component Height
Lead Clinch Height
Component Base Height
Component Alignment ( side/side )
Component Alignment ( front/back )
Component Pitch
Feed Hole Pitch
Hole Center to First Lead
Hole Center to Component Center
Lead Spread
Lead Thickness
Cut Lead Length
Taped Lead Length
Taped Lead Thickness
Carrier Tape Thickness
Carrier Tape Width
Hold - down Tape Width
Hold - down Tape position
Feed Hole Position
Sprocket Hole Diameter
Lead Spring Out
SYMBOL
b
Ha
HO
H1
Pd
Hd
P
PO
P1
P2
F1/F2
d
L
L1
t
t1
W
WO
W1
W2
DO
S
DIMENSION
0.098 (max)
0.928 (+/- 0.025)
0.630 (+/- 0.020)
0.748 (+/- 0.020)
0.040 (max)
0.031 (max)
0.500 (+/- 0.020)
0.500 (+/- 0.008)
0.150 (+0.009, -0.010)
0.247 (+/- 0.007)
0.104 (+/- 0 .010)
0.018 (+0.002, -0.003)
0.429 (max)
0.209 (+0.051, -0.052)
0.032 (+/- 0.006)
0.021 (+/- 0.006)
0.708 (+0.020, -0.019)
0.236 (+/- 0.012)
0.035 (max)
0.360 (+/- 0.025)
0.157 (+0.008, -0.007)
0.004 (max)
Note : All dimensions are in inches.
ITEM DESCRIPTION
SYSMBOL
MINIMUM
MAXIMUM
Reel Diameter
D1
13.975
14.025
Arbor Hole Diameter (Standard)
D2
1.160
1.200
(Small Hole)
D2
0.650
0.700
Core Diameter
D3
3.100
3.300
Hub Recess Inner Diameter
D4
2.700
3.100
Hub Recess Depth
W1
0.370
0.570
Flange to Flange Inner Width
W2
1.630
1.690
Hub to Hub Center Width
W3
2.090
Note: All dimensions are inches
TO-92 Tape and Reel Taping
Dimension Configuration:
Figure 4.0
Ha
H1 HO
PO
P2
P1 F1
DO
P
Pd
b
d
L1
L
S
WO
W2
W
t
t1
Hd
W1
TO-92 Reel
Configuration:
Figure 5.0
User Direction of Feed
SENSITIVE DEVICES
ELECTROSTATIC
D1
D3
Customized Label
W2
W1
W3
F63TNR Label
D4
D2
TO-92 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
July 1999, Rev. A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N5551TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2N5551TFR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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