參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5551TA
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier
中文描述： 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： 2N5551TA
2
Typical Characteristics
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 16
1
10
100
200
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
25 °C
- 40 oC
125 oC
β
= 10
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
β
= 10
25
°
C
- 40
o
C
125
o
C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0
50
100
150
200
250
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
F
125
°
C
25
°
C
- 40
°
C
Vce = 5V
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
25
°
C
- 40
o
C
125
o
C
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
P
25
50
75
100
125
1
10
50
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
C
o
V = 100V
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
160
180
200
220
240
260
RESISTANCE (k )
B
C
I = 1.0 mA
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2N5551TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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