參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6030
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon PNP Power Transistor(16A，200W，120V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅PNP功率晶體管)
中文描述： 16 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： 2N6030
High-Voltage High Power
Transistors
. . . designed for use in high power audio amplifier applications and
high voltage switching regulator circuits.
High Collector Emitter Sustaining Voltage —
V
CEO(sus)
= 120 Vdc — 2N5630, 2N6030
= 140 Vdc — 2N5631, 2N6031
High DC Current Gain — @ I
C
= 8.0 Adc
h
FE
= 20 (Min) — 2N5630, 2N6030
= 15 (Min) — 2N5631, 2N6031
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
V
CE(sat)
= 1.0 Vdc (Max) @ I
C
= 10 Adc
Collector–Base Voltage
200
Rating
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
V
CB
Symbol
V
120
2N6030
120
140
7.0
2N6031
140
Vdc
Unit
Vdc
Vdc
V
EB
I
C
Collector Current — Continuous
16
Adc
Derate above 25 C
1.14
W/ C
Operating and Storage Junction
T
J
, T
stg
–65 to +200
C
JC
00
20
40
60
80
100
120
140
200
Figure 1. Power Derating
T
C
, TEMPERATURE (
°
C)
150
100
50
Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All Limits are applicable and must be observed.
P
160
180
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
February, 2001 – Rev. 8
1
Publication Order Number:
2N5630/D
2N5630
2N5631
PNP
2N6030
2N6031
16 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
100–120–140 VOLTS
200 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
NPN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5631 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
2N6031 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
2N5638 JFET Chopper Transistors
2N5638RLRA JFET Chopper Transistors
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6031 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6031G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6032 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 90V 50A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6033 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 40A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6034 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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