參數(shù)資料
型號(hào): 2N6030
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: Complementary Silicon PNP Power Transistor(16A,200W,120V(集電極-發(fā)射極),補(bǔ)償型硅PNP功率晶體管)
中文描述: 16 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝: TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商: 2N6030
2N5630 2N5631 2N6030 2N6031
http://onsemi.com
2
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%.
(2) f
T
= |h
fe
|
f
test
OFF CHARACTERISTICS
CE
B
(I
C
= 200 mAdc, I
B
= 0)
I
EBO
120
2.0
2.0
(V
CE
= 60 Vdc, I
B
= 0)
CEO
7.0
mAdc
mAdc
(V
CE
= Rated V
CB
, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 150 C)
Collector–Emitter Cutoff Current
I
CEX
5.0
mAdc
Emitter–Base Cutoff Current
BE
C
(V
CB
= Rated V
CB
, I
E
= 0)
I
2.0
mAdc
C
CE
FE
15
60
2.0
(I
C
= 16 Adc, I
B
= 4.0 Adc)
(I
C
= 10 Adc, I
B
= 1.0 Adc)
CE(sat)
1.8
Vdc
Base–Emitter On Voltage
V
BE(on)
1.5
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 20 Vdc, f
test
= 0.5 MHz)
2N5630, 31
2N6030, 31
1.0
500
1000
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 0.1 MHz)
C
ob
pF
Small–Signal Current Gain
h
fe
15
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2N6031G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6032 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 90V 50A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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2N6034 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel