參數(shù)資料
型號： 2N6030
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon PNP Power Transistor(16A，200W，120V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅PNP功率晶體管)
中文描述： 16 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 118K
代理商： 2N6030
2N5630 2N5631 2N6030 2N6031
http://onsemi.com
3
Figure 2. Switching Times Test Circuit
+11 V
25
μ
s
0
-9.0 V
R
B
-4 V
D
1
SCOPE
V
CC
+30 V
R
C
t
r
, t
f
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
3.0
2.0
0.2
Figure 3. Turn–On Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.03
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
7.0
20
T
J
= 25
°
C
I
C
/I
B
= 10
V
CE
= 30 V
0.07
0.05
5.0
10
t
r
t
d
@ V
BE(off)
= 5.0 V
51
R
B
and R
C
VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D
1
MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE I
B
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW I
B
≈
100 mA
For PNP test circuit, reverse all polarities and D1.
2N5629, 30, 31
2N6029, 30, 31
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PDF描述
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2N6031G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6032 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 90V 50A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6033 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 40A 3PIN TO-3 - Bulk
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