參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6030
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon PNP Power Transistor(16A，200W，120V（集電極-發(fā)射極），補(bǔ)償型硅PNP功率晶體管)
中文描述： 16 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： 2N6030
2N5630 2N5631 2N6030 2N6031
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
REFERENCED TO-204AA OUTLINE SHALL APPLY.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
MIN
1.550 REF
---
0.250
0.038
0.055
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.665 BSC
---
0.151
1.187 BSC
0.131
MAX
MIN
39.37 REF
---
6.35
0.97
1.40
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
16.89 BSC
---
3.84
30.15 BSC
3.33
MAX
MILLIMETERS
INCHES
1.050
0.335
0.043
0.070
26.67
8.51
1.09
1.77
0.480
12.19
0.830
0.165
21.08
4.19
0.188
4.77
A
N
E
C
K
–T–
SEATING
PLANE
2 PL
D
M
Q
M
0.13 (0.005)
Y
M
T
M
Y
M
0.13 (0.005)
T
–Q–
–Y–
2
1
U
L
G
B
V
H
CASE 1–07
TO–204AA (TO–3)
ISSUE Z
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PDF描述
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2N6031G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6032 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 90V 50A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6033 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 40A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6034 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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