參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6034
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors(4A，40W，40V（集電極-發(fā)射極），塑料，補(bǔ)償型硅PNP功率晶體管)
中文描述： 4 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA
封裝： PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： 2N6034
(PNP) 2N6034, 2N6035, 2N6036 (NPN) 2N6038, 2N6039
http://onsemi.com
3
Figure 1. Switching Times Test Circuit
4.0
0.04
Figure 2. Switching Times
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t
2.0
1.0
0.8
0.6
0.2
0.06
0.1
0.2
0.4
0.6
1.0
2.0
4.0
0.4
PNP
NPN
t
f
t
r
t
s
t
d
@ V
BE(off)
= 0
V
2
approx
+8.0 V
V
1
approx
12 V
t
r
, t
f
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
25
μ
s
0
R
B
51
D
1
+4.0 V
V
CC
30 V
R
C
TUT
≈
8.0 k
≈
60
SCOPE
for t
d
and t
, D
1
is disconnected
and V
= 0, R
and R
are varied
to obtain desired test currents.
For NPN test circuit, reverse diode,
polarities and input pulses.
R
B
& R
C
VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D
1
MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:
1N5825 USED ABOVE I
B
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW I
B
≈
100 mA
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
Figure 3. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.7
0.010.01
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
r
N
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
1000
500
θ
JC
(t) = r(t)
θ
JC
θ
JC
= 3.12
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
θ
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.03
0.02 0.03
0.3
3.0
30
300
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