參數(shù)資料
型號： 2N7002LT3G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
中文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2N7002LT3G
2N7002L
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
I
r
(
V
I
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
V
DS
, DRAIN SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Ohmic Region
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
V
GS
, GATE SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
60
20
+20
+60
+100
+140
60
20
+20
+60
+100
+140
T, TEMPERATURE (
°
C)
Figure 3. Temperature versus Static
DrainSource OnResistance
T, TEMPERATURE (
°
C)
Figure 4. Temperature versus Gate
Threshold Voltage
T
A
= 25
°
C
V
GS
= 10 V
9 V
8 V
7 V
6 V
4 V
3 V
5 V
V
DS
= 10 V
55
°
C
25
°
C
125
°
C
V
GS
= 10 V
I
D
= 200 mA
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002L Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
2N7002 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強型場效應(yīng)管)
2N7002 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開態(tài)漏極電流0.5A，N溝道增強型垂直DMOS場效應(yīng)管)
2N7007 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
2N7008-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002LTG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2N7002M 制造商:JIANGSU 制造商全稱:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:MOSFET( N-Channel )
2N7002M1PT 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2N7002-MR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MOSFET 2N7002 MINIREEL 500PCS
2N7002MTF 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 115mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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