參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5975
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER / OSCILLATOR
中文描述： 硅外延npn型高頻低噪聲放大器/振蕩器
文件頁(yè)數(shù)： 15/18頁(yè)
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代理商： 2SC5975
2SC5975
Rev.1.00, Jul.06.2004, page 15 of 17
S parameter
(V
CE
= 3 V, I
C
= 10 mA, Zo =50
)
S11
S21
S12
S22
f(MHz)
100
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300
400
500
600
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1700
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1900
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2100
2200
2300
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3100
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5000
5100
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169.2
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158.2
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153.3
151.7
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ANG
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ANG
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39.1
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37.3
MAG
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2SC5984TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH VOLT 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5990-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:mom 50V 4A 250 to 400 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 4A SOT89
2SC59930P 功能描述:TRANS NPN 180VCEO 1.5A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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