參數(shù)資料
型號： 2SC5975
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER / OSCILLATOR
中文描述： 硅外延npn型高頻低噪聲放大器/振蕩器
文件頁數(shù)： 2/18頁
文件大小： 248K
代理商： 2SC5975
2SC5975
Rev.1.00, Jul.06.2004, page 2 of 17
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EEO
h
FE
C
ob
f
T
PG
NF
Min
—
—
—
70
—
17
13
—
Typ
—
—
—
110
0.3
20
17.5
1.15
Max
1
1
10
150
0.6
—
—
1.7
Unit
μ
A
μ
A
μ
A
—
pF
GHz
dB
dB
Test Conditions
Collector cutoff current
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector output capacitance
Gain bandwidth product
Power gain
Noise figure
V
CB
= 12 V, I
E
= 0
V
CE
= 4 V, R
BE
=
∞
V
EB
= 1.5 V, I
C
= 0
V
CE
= 2 V, I
C
= 20 mA
V
CB
= 2 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
V
CE
= 2 V, I
C
= 30 mA, f = 2 GHz
V
CE
= 2 V, I
C
= 30 mA, f = 1.8 GHz
V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA, f = 1.8 GHz
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PDF描述
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