參數(shù)資料
型號： 2STN1360
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 11/11頁
文件大?。?/td> 276K
代理商： 2STN1360
2STD1360, 2STF1360, 2STN1360
Package mechanical data
Doc ID 11783 Rev 2
9/11
DIM.
mm.
min.
typ
max.
A
1.80
A1
0.02
0.1
B
0.60
0.70
0.85
B1
2.90
3.00
3.15
c
0.24
0.26
0.35
D6.30
6.50
6.70
e2.30
e1
4.60
E
3.30
3.50
3.70
H
6.70
7.00
7.30
V
10 o
SOT-223 mechanical data
0046067_L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2STD1360T4 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
2STF1550 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STN5551 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STP535FP 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SU424 5 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2STN1550 功能描述:兩極晶體管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STN2340 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STN2360 功能描述:兩極晶體管 - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STN2540 功能描述:兩極晶體管 - BJT Power Bipolar Transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STN2540_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching PNP power bipolar transistor
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