參數(shù)資料
型號： 2STN1360
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 276K
代理商： 2STN1360
2STD1360, 2STF1360, 2STN1360
Electrical characteristics
Doc ID 11783 Rev 2
3/11
2
Electrical characteristics
TCASE = 25°C; unless otherwise specified.
2.1
Typical characteristics (curves)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 80 V
100
nA
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 6 V
100
nA
VBE(on)
Base-emitter on voltage
VCE = 2 V
IC = 100 mA
630
650
730
mV
VCE(sat)
(1)
1.
Pulse test: pulse duration
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 2 A
IB = 100 mA
IC = 3 A _
IB = 150 mA
130
180
300
500
mV
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 2 A
_ IB = 100 mA
0.9
1.2
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = 100 mA_ VCE = 2 V
IC = 1 A
_ VCE = 2 V
80
160
400
td
tr
ts
tf
Resistive load
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
IC = 3 A
VCC = 10 V
IB(on) = - IB(off) = 300 mA
VBE(off) = - 5 V
17
81
620
54
20
100
720
65
ns
fT
Transition frequency
IC = 0.1 A __ VCE = 10 V
130
MHz
Figure 2.
DC current gain (VCE = 5 V)
Figure 3.
DC current gain (VCE = 2 V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2STD1360T4 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
2STF1550 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STN5551 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2STP535FP 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SU424 5 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2STN2340 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STN2360 功能描述:兩極晶體管 - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STN2540 功能描述:兩極晶體管 - BJT Power Bipolar Transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STN2540_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching PNP power bipolar transistor
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