參數(shù)資料
型號(hào)： 2STN1360
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 276K
代理商： 2STN1360
Electrical characteristics
2STD1360, 2STF1360, 2STN1360
4/11
Doc ID 11783 Rev 2
Figure 4.
Collector emitter saturation voltage Figure 5.
Base emitter saturation voltage
Figure 6.
Resistive load switching on
Figure 7.
Resistive load switching off
Figure 8.
Capacitance
10
100
1000
0.1
1
10
100
VR (V)
C (pF)
CEB
CCB
f = 1 MHz
10
100
1000
0.1
1
10
100
VR (V)
C (pF)
CEB
CCB
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2STD1360T4 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
2STF1550 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2STP535FP 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
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2STN2340 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STN2360 功能描述:兩極晶體管 - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2STN2540_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching PNP power bipolar transistor
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