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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2STN1360 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
| 文件頁數(shù)： | 9/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 276K |
| 代理商： | 2STN1360 |
2STD1360, 2STF1360, 2STN1360
Package mechanical data
Doc ID 11783 Rev 2
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TO-252 (DPAK) mechanical data
0068772_G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STD1360T4 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2STF1550 | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STN5551 | 0.6 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STP535FP | 8 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SU424 | 5 A, 60 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2STN1550 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT IGBT & Power Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2340 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2360 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2540 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Power Bipolar Transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2STN2540_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching PNP power bipolar transistor |
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