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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK296 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | 3SK296 |
3SK296
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
ADE-208-388
1st. Edition
Application
UHF RF amplifier
Features
Low noise figure.
NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz
Capable of low voltage operation
Outline
1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain
CMPAK–4
1
4
3
2
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 3SK297 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
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| 3SK298 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK298ZP-TL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
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