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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK296 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | 3SK296 |
3SK296
3
200
150
100
50
0
50
100
150
200
C
Ambient Temperature Ta (
°
C)
Maximum Channel Power
Dissipation Curve
20
16
12
8
4
0
2
4
6
8
10
1.0 V
0.8 V
1.2 V
0.6 V
V = 3 V
V = 0.4 V
Drain to source voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
Pulse test
20
16
12
8
4
0
1
2
3
4
5
V = 0.5 V
3.0 V
2.5 V
2.0 V
1.5 V
V = 6 V
Gate1 to source voltage V (V)
D
D
Drain Current vs. Gate1 to Source Voltage
1.0 V
Pulse test
20
16
12
8
4
0
1
2
3
4
5
V = 0.5 V
1.0 V
2.0 V
1.5 V
V = 6 V
Gate2 to source voltage V (V)
D
Drain Current vs. Gate2 to Source Voltage
Pulse test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3SK297 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 3SK297 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK297ZP-TL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK298 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK298ZP-TL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
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