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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 4AK18 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 中文描述： | 硅N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管陣列 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 4AK18 |
4AK18
5
Typical Transfer Characteristics
3
Gate to Source Voltage VGS (V)
4
2
1
05
1
2
3
4
5
0
Drain
Current
I
D
(A)
TC= 25°C
75°C
VDS = 10 V
Pulse Test
–25°C
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
6
Gate to Source Voltage VGS (V)
8
4
2
010
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0.4
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(on)
(V)
Pulse Test
ID = 1 A
5 A
2 A
2
Drain Current ID (A)
5
1.0
0.5
20
0.2
0.5
1.0
2
5
0.2
0.1
0.05
10
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
VGS = 4 V
10 V
Pulse Test
80
Case Temperature TC (°C)
120
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
–40
0
160
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
ID = 2 A
Pulse Test
VGS = 4 V
VGS = 10 V
5 A
1 A
1 A, 2 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4AK19 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 4AK20 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK21 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK22 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK23 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 4AK19 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 4AK20 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK21 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK22 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK23 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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