參數(shù)資料
型號(hào): 4AK18
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel Power MOS FET Array
中文描述: 硅N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管陣列
文件頁(yè)數(shù): 7/9頁(yè)
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代理商: 4AK18
4AK18
7
Switching Characteristics
100
50
20
10
2
1
0.05
0.1
0.5
5
Drain Current ID (A)
1.0
0.2
2
Switching
Time
t
(ns)
5
td (off)
tf
tr
VGS = 10 V VDD = 30 V
PW = 2
s, duty < 1 %
td (on)
5
4
3
2
1
0
0.4
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
0.8
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
VGS = 0, –5 V
Pulse Test
10 V
15 V
5 V
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