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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 4AK18 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 中文描述： | 硅N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管陣列 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 4AK18 |
4AK18
6
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
10
5
2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
5
Drain Current ID (A)
2
Forward
Transfer
Admittance
yfs
(S)
TC = 25°C
VDS = 10 V
Pulse Test
–25°C
75°C
500
200
100
50
20
10
5
0.2
0.5
2
20
Reverse Drain Current IDR (A)
5
1.0
10
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
di/dt = 50 A/
s, Ta = 25°C
VGS = 0
Pulse Test
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1000
300
100
30
3
1
Capacitance
C
(pF)
010
20
50
Drain to Source Voltage VDS (V)
30
10
40
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
100
80
60
40
20
02
6
8
Gate Charge Qg (nc)
4
20
16
12
8
4
Dynamic Input Characteristics
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
10
VDS
VGS
VDD = 50 V
10 V
25 V
VDD = 50 V
25 V
10 V
ID = 2 A
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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