參數(shù)資料
型號(hào)： 4AK26
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel Power MOS FET Array
中文描述： 硅N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管陣列
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 52K
代理商： 4AK26
4AK26
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
60
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
10
A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
32
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
10
A
Channel dissipation
Pch (Tc = 25
°C)*2 28
W
Channel dissipation
Pch*
2
4W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW
≤ 10 s, duty cycle ≤ 1%
2. 4 Devices operation
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PDF描述
4AK27 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
4ALS520 8-BIT IDENTITY COMPARATORS
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4AM02MH5 High-side Switch
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