參數(shù)資料
型號： 4AK26
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel Power MOS FET Array
中文描述： 硅N溝道功率MOS場效應(yīng)管陣列
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 52K
代理商： 4AK26
4AK26
6
1,000
500
200
100
50
20
10
0.5
1.0
5
50
Reverse Drain Current IDR (A)
10
2
20
Body to Diode Reverse
Recovery Time
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
di/dt = 50 A/
s, Ta = 25°C
VGS = 0
Pulse Test
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
10,000
3,000
1,000
300
30
10
Capacitance
C
(pF)
010
20
50
Drain to Source Voltage VDS (V)
30
100
40
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
100
80
60
40
20
020
60
80
Gate Charge Qg (nc)
40
20
16
12
8
4
0
Dynamic Input Characteristics
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
100
ID = 25 A
VDS
VGS
VDD = 50 V
10 V
25 V
VDD = 50 V
25 V
10 V
Switching Characteristics
1000
500
200
100
20
10
0.5
1.0
5
50
Drain Current ID (A)
10
2
20
Switching
Time
t
(ns)
td (off)
tf
tr
VGS = 10 V VDD = 30 V
PW = 2
s, duty < 1 %
td (on)
50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
4AK27 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
4ALS520 8-BIT IDENTITY COMPARATORS
4AM01MH5 High-side Switch
4AM02MH5 High-side Switch
4AM03MH5 4AM03MH5
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