參數(shù)資料
型號： 4AK26
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel Power MOS FET Array
中文描述： 硅N溝道功率MOS場效應(yīng)管陣列
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 52K
代理商： 4AK26
4AK26
4
6
5
4
3
2
1
0
Channel
Dissipation
Pch
(W)
50
100
150
125
Ambient Temperature
Ta (°C)
75
25
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
1 Device Operation
each die is idetical
Condition : Channel dissipation of
Maximum Channel Dissipation Curve
30
20
10
0
Channel
Dissipation
Pch
(W)
50
100
150
125
Case Temperature
Tc (°C)
75
25
each die is idetical
Condition : Channel dissipation of
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
1 Device Operation
Maximum Channel Dissipation Curve
Typical Output Characteristics
6
Drain to Source Voltage VDS (V)
8
4
210
Drain
Current
I
D
(A)
0
10
20
30
40
0
50
VGS = 2.5 V
Pulse Test
10 V
8 V
6 V
3.5 V
3.0 V
4.0 V
4.5 V
Typical Transfer Characteristics
3
Gate to Source Voltage VGS (V)
4
2
1
05
10
20
30
40
50
0
Drain
Current
I
D
(A)
TC= 25°C
75°C
VDS = 10 V
Pulse Test
–25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
4AK27 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
4ALS520 8-BIT IDENTITY COMPARATORS
4AM01MH5 High-side Switch
4AM02MH5 High-side Switch
4AM03MH5 4AM03MH5
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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