參數(shù)資料
型號(hào)： 934055500118
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 10/15頁
文件大小： 324K
代理商： 934055500118
Philips Semiconductors
PHB160N03T
N-channel enhancement mode eld-effect transistor
Product specication
Rev. 01 — 13 September 2000
4 of 13
9397 750 07325
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Value
Unit
Rth(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting
base
0.65
K/W
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Mounted on a printed circuit board;
minimum footprint
50
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of
pulse duration.
1
Zth(j-mb)
(K/W)
tp (s)
δ = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.2
single pulse
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
03ad20
tp
T
P
t
T
δ =
10
-1
10
-2
10
-3
10
-1
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PDF描述
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