參數(shù)資料
型號(hào)： 934055500118
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 14/15頁
文件大小： 324K
代理商： 934055500118
Philips Semiconductors
PHB160N03T
N-channel enhancement mode eld-effect transistor
Product specication
Rev. 01 — 13 September 2000
8 of 13
9397 750 07325
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
Tj =25 °C and 175 °C; VGS =0V
ID = 75 A; VDS =15V
Fig 13. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
20
40
60
80
100
ID
(A)
VSD (V)
03ad30
Tj = 175
oC
25
o
C
03ad29
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
QG (nC)
VGS
(V)
VDS = 15V
ID = 75 A
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PDF描述
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