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參數(shù)資料
| 型號： | A28F010 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 1024K (128K x 8) CMOS Flash Memory(1024K (128K x 8) CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 1024K（128K的× 8）的CMOS閃存（1024K（128K的× 8）的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 14/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 284K |
| 代理商： | A28F010 |
A28F010
DC CHARACTERISTICSDTTL/NMOS COMPATIBLE
(Continued)
Symbol
Parameter
Notes
Limits
Unit
Test Conditions
Min Typical
Max
I
PP2
V
PP
Programming Current
1, 2
8.0
30
mA V
PP
e
V
PPH
Programming in Progress
I
PP3
V
PP
Erase Current
1, 2
4.0
30
mA V
PP
e
V
PPH
Erasure in Progress
I
PP4
V
PP
Program Verify Current
1, 2
2.0
5.0
mA V
PP
e
V
PPH
Program Verify in Progress
I
PP5
V
PP
Erase Verify Current
1, 2
2.0
5.0
mA V
PP
e
V
PPH
Erase Verify in Progress
V
IL
Input Low Voltage
b
0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CC
a
0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
V
I
OL
e
2.1 mA
V
CC
e
V
CC
Min
I
OH
e b
2.5 mA
V
CC
e
V
CC
Min
A
9
e
V
ID
V
OH1
Output High Voltage
2.4
V
V
ID
A
9
Intelligent Identifer Voltage
11.50
13.00
V
I
ID
V
CC
ID Current
1
10
30
mAA
9
e
V
ID
m
A
V
PP
ID CURRENT
90
500
V
PPL
V
PP
during Read-Only Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Program are
Inhibited when V
PP
e
V
PPL
V
PPH
V
PP
during Read/Write Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write Lock Voltage
2.5
V
DC CHARACTERISTICSDCMOS COMPATIBLE
Symbol
Parameter
Notes
Limits
Unit
Test Conditions
Min
Typical
Max
I
LI
Input Leakage Current
1
g
1.0
m
A
V
CC
e
V
CC
Max
V
IN
e
V
CC
or V
SS
V
CC
e
V
CC
Max
V
OUT
e
V
CC
or V
SS
V
CC
e
V
CC
Max
CE
Y
e
V
CC
g
0.2V
V
CC
e
V
CC
Max, CE
e
V
IL
f
e
6 MHz, I
OUT
e
0 mA
I
LO
Output Leakage Current
1
g
10
m
A
I
CCS
V
CC
Standby Current
1
300
m
A
I
CC1
V
CC
Active Read Current
1
10
30
mA
I
CC2
V
CC
Programming Current
1, 2
1.0
30
mA
Programming in Progress
I
CC3
V
CC
Erase Current
1, 2
5.0
30
mA
Erasure in Progress
I
PPS
V
PP
Leakage Current
1
g
10
m
A
V
PP
s
V
CC
V
PP
l
V
CC
V
PP
s
V
CC
I
PP1
V
PP
Read Current or
Standby Current
1
90
200
m
A
g
10
14
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A28F200BR-B | 2-MBIT (256K x 8) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
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| A28F200BX-B | 2-MBIT (256K x 8) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A28F200BR-B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2-MBIT (128K X 16. 256K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| A28F200BR-T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2-MBIT (128K X 16. 256K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| A28F200BR-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:A28F200BR-T/B |
| A28F200BR-TB | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:2-MBIT (128K X 16, 256K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| A28F200BX-B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:A28F200BX-B - 2-MBIT (128K x 16. 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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