- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄378264 > A28F010 (Intel Corp.) 1024K (128K x 8) CMOS Flash Memory(1024K (128K x 8) CMOS閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A28F010 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 1024K (128K x 8) CMOS Flash Memory(1024K (128K x 8) CMOS閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 1024K（128K的× 8）的CMOS閃存（1024K（128K的× 8）的CMOS閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 284K |
| 代理商： | A28F010 |
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A28F010
DC CHARACTERISTICSDCMOS COMPATIBLE
(Continued)
Symbol
Parameter
Notes
Limits
Unit
Test Conditions
Min
Typical
Max
I
PP2
V
PP
Programming
Current
1, 2
8.0
30
mA
V
PP
e
V
PPH
Programming in Progress
I
PP3
V
PP
Erase
Current
1, 2
4.0
30
mA
V
PP
e
V
PPH
Erasure in Progress
I
PP4
V
PP
Program
Verify Current
1, 2
2.0
5.0
mA
V
PP
e
V
PPH
Program
Verify in Progress
I
PP5
V
PP
Erase Verify
Current
1, 2
5.0
5.0
mA
V
PP
e
V
PPH
Erase Verify in Progress
V
IL
Input Low
Voltage
b
0.5
0.8
V
V
IH
Input High
Voltage
0.7 V
CC
V
CC
a
0.5
V
V
OL
Output Low
Voltage
0.45
V
I
OL
e
2.1 mA
V
CC
e
V
CC
Min
I
OH
e b
2.5 mA,
V
CC
e
V
CC
Min
I
OH
e b
100
m
A,
V
CC
e
V
CC
Min
V
OH1
Output High
Voltage
0.85 V
CC
V
V
OH2
V
CC
b
0.4
V
ID
A
9
Intelligent
Identifier Voltage
11.50
13.00
V
I
ID
V
CC
ID Current
1
10
30
mA
A
9
e
ID
A
9
e
ID
I
ID
V
PP
ID Current
1
90
500
m
A
V
PPL
V
PP
during Read-
Only Operations
0.00
6.5
V
NOTE:
Erase/Programs
are Inhibited when
V
PP
e
V
PPL
V
PPH
V
PP
during
Read/Write
Operations
11.40
12.60
V
V
LKO
V
CC
Erase/Write
Lock Voltage
2.5
V
CAPACITANCE
(3)
T
A
e
25
§
C, f
e
1.0 MHz
Symbol
Parameter
Limits
Unit
Conditions
Min
Max
C
IN
Address/Control Capacitance
8
pF
V
IN
e
0V
V
OUT
e
0V
C
OUT
Output Capacitance
12
pF
NOTES:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at V
CC
e
5.0V, V
PP
e
12.0V, T
e
25
§
C.
2. Not 100% tested: characterization data available.
3. Sampled, not 100% tested.
4. ‘‘Typicals’’ are not guaranteed, but are based on a limited number of samples from production lots.
15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A28F200BR-B | 2-MBIT (256K x 8) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| A28F200BR-T | 2-MBIT (128K x 16) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| A28F200BX-B | 2-MBIT (256K x 8) Boot Block Flash Memory(2兆位 (128K x 16) 引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| A28F400BR-B | 4-MBIT (512K x8) Boot Block Flash Memory(4兆位(512K x8) 引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| A28F400BR-T | 4-MBIT (256K x16) Boot Block Flash Memory(4兆位 (256K x16)引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A28F200BR-B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:2-MBIT (128K X 16. 256K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| A28F200BR-T | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:2-MBIT (128K X 16. 256K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| A28F200BR-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:A28F200BR-T/B |
| A28F200BR-TB | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:2-MBIT (128K X 16, 256K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| A28F200BX-B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:A28F200BX-B - 2-MBIT (128K x 16. 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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