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參數(shù)資料
| 型號： | AFS250-2FGG256I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 314/334頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA 2MB FLASH 250K 256FBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 90 |
| 系列： | Fusion® |
| RAM 位總計(jì)： | 36864 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 114 |
| 門數(shù)： | 250000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 100°C |
| 封裝/外殼： | 256-LBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 256-FPBGA（17x17） |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁第272頁第273頁第274頁第275頁第276頁第277頁第278頁第279頁第280頁第281頁第282頁第283頁第284頁第285頁第286頁第287頁第288頁第289頁第290頁第291頁第292頁第293頁第294頁第295頁第296頁第297頁第298頁第299頁第300頁第301頁第302頁第303頁第304頁第305頁第306頁第307頁第308頁第309頁第310頁第311頁第312頁第313頁當(dāng)前第314頁第315頁第316頁第317頁第318頁第319頁第320頁第321頁第322頁第323頁第324頁第325頁第326頁第327頁第328頁第329頁第330頁第331頁第332頁第333頁第334頁
Device Architecture
2-64
Revision 4
RAM512X18 exhibits slightly different behavior from RAM4K9, as it has dedicated read and write ports.
WW and RW
These signals enable the RAM to be configured in one of the two allowable aspect ratios (Table 2-30).
WD and RD
These are the input and output data signals, and they are 18 bits wide. When a 512×9 aspect ratio is
used for write, WD[17:9] are unused and must be grounded. If this aspect ratio is used for read, then
RD[17:9] are undefined.
WADDR and RADDR
These are read and write addresses, and they are nine bits wide. When the 256×18 aspect ratio is used
for write or read, WADDR[8] or RADDR[8] are unused and must be grounded.
WCLK and RCLK
These signals are the write and read clocks, respectively. They are both active high.
WEN and REN
These signals are the write and read enables, respectively. They are both active low by default. These
signals can be configured as active high.
RESET
This active low signal resets the output to zero, disables reads and/or writes from the SRAM block, and
clears the data hold registers when asserted. It does not reset the contents of the memory.
PIPE
This signal is used to specify pipelined read on the output. A Low on PIPE indicates a nonpipelined read,
and the data appears on the output in the same clock cycle. A High indicates a pipelined read, and data
appears on the output in the next clock cycle.
Clocking
The dual-port SRAM blocks are only clocked on the rising edge. SmartGen allows falling-edge-triggered
clocks by adding inverters to the netlist, hence achieving dual-port SRAM blocks that are clocked on
either edge (rising or falling). For dual-port SRAM, each port can be clocked on either edge or by
separate clocks, by port.
Fusion devices support inversion (bubble pushing) throughout the FPGA architecture, including the clock
input to the SRAM modules. Inversions added to the SRAM clock pin on the design schematic or in the
HDL code will be automatically accounted for during design compile without incurring additional delay in
the clock path.
The two-port SRAM can be clocked on the rising edge or falling edge of WCLK and RCLK.
If negative-edge RAM and FIFO clocking is selected for memory macros, clock edge inversion
management (bubble pushing) is automatically used within the Fusion development tools, without
performance penalty.
Table 2-30 Aspect Ratio Settings for WW[1:0]
WW[1:0]
RW[1:0]
D×W
01
512×9
10
256×18
00, 11
Reserved
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 983-009-010R031 | BACKSHELL DB9 GREY PLASTIC |
| AYM40DRSS | CONN EDGECARD 80POS DIP .156 SLD |
| ASM40DRSS | CONN EDGECARD 80POS DIP .156 SLD |
| AGM40DRSS | CONN EDGECARD 80POS DIP .156 SLD |
| ACC40DRYS-S93 | CONN EDGECARD 80POS DIP .100 SLD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AFS250-2FGG256PP | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
| AFS250-2PQ208 | 功能描述:IC FPGA 2MB FLASH 250K 208PQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:Fusion® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:90 系列:ProASIC3 LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):36864 輸入/輸出數(shù):157 門數(shù):250000 電源電壓:1.425 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-FPBGA（17x17） |
| AFS250-2PQ208I | 功能描述:IC FPGA 2MB FLASH 250K 208PQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:Fusion® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 系列:SX-A LAB/CLB數(shù):6036 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):- 輸入/輸出數(shù):360 門數(shù):108000 電源電壓:2.25 V ~ 5.25 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:484-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:484-FPBGA（27X27） |
| AFS250-2PQ256ES | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
| AFS250-2PQ256I | 制造商:ACTEL 制造商全稱:Actel Corporation 功能描述:Actel Fusion Mixed-Signal FPGAs |
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