參數(shù)資料
型號(hào)： AGR21010EU
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 16/18頁(yè)
文件大?。?/td> 504K
代理商： AGR21010EU
Agere Systems Inc.
7
Preliminary Data Sheet
AGR21010E
April 2003
10 W, 2000 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics, 921 MHz—960 MHz (continued)
Figure 4. Gain and POUT vs. PIN (f = 921 MHz)
Figure 5. Gain and POUT vs. PIN (f = 940.5 MHz)
29.5
30.5
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
41.5
8.5
9.0
9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0 12.5 13.0 13.5 14.0 14.5 15.0 15.5 16.0 16.5 17.0 17.5 18.0 18.5 19.0 19.5 20.0 20.5 21.0 21.5
PIN (dBm)Z
PO
U
T
(
d
Bm)
Z
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
20.5
21.0
21.5
22.0
22.5
23.0
23.5
24.0
G
A
IN
(
d
B)
Z
IDQ = 100 mA, f = 921 MHz
POUT
GAIN
29.5
30.5
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
37.5
38.5
39.5
40.5
41.5
8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12.0 12.5 13.0 13.5 14.0 14.5 15.0 15.5 16.0 16.5 17.0 17.5 18.0 18.5 19.0 19.5 20.0 20.5 21.0 21.5
PIN (dBm)Z
PO
U
T
(
d
Bm)
Z
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
20.5
21.0
21.5
22.0
22.5
23.0
23.5
24.0
G
A
IN
(
d
B)
Z
IDQ = 100 mA, f = 940.5 MHz
POUT
GAIN
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AGR21060E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱(chēng):TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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