參數(shù)資料
型號： AGR21010EU
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 9/18頁
文件大小： 504K
代理商： AGR21010EU
Agere Systems Inc.
17
Preliminary Data Sheet
AGR21010E
April 2003
10 W, 2000 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics, 2110 MHz—2170 MHz (continued)
Figure 17. Gain and POUT vs. PIN (f = 2170 MHz)
26.0
28.0
30.0
32.0
34.0
36.0
38.0
40.0
42.0
13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0 21.0 22.0 23.0 24.0 25.0 26.0 27.0
PIN (dBm)Z
P
OUT
(dBm)
Z
14.0
14.5
15.0
15.5
16.0
16.5
17.0
17.5
18.0
GAIN
(dB)
Z
IDQ = 94 mA, 19.8 mm cell, at f = 2170 MHz
POUT
GAIN
相關PDF資料
PDF描述
AGR21010EU L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21180EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21180EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGRA10EU UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGRA10EU UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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AGR21060E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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