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參數(shù)資料
| 型號： | AGR21010EU |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | SURFACE MOUNT PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 504K |
| 代理商： | AGR21010EU |
Agere Systems Inc.
11
Preliminary Data Sheet
AGR21010E
April 2003
10 W, 2000 MHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics, 1930 MHz—1990 MHz
Figure 9. Series Equivalent Input and Output Impedances, 1930 MHz—1990 MHz
MHz (f)
ZS
(complex source impedance)
ZL
(complex optimum load impedance)
1930 (f1)
2.79 – j4.29
5.79 + j3.17
1960 (f2)
2.57 – j3.95
5.71 + j2.76
1990 (f3)
2.39 – j3.24
5.70 + j3.29
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
-160
170
-170
180
±
90
-90
85
-85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.43
0.44
0.45
0.46
0.47
7
0.48
0.49
0.0
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
G
E
N
E
R
A
T
O
R
>
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
T
O
W
A
R
D
L
O
A
D
<
IN
D
U
C
T
IV
E
R
E
A
C
T
A
N
C
E
C
O
M
P
O
N
E
N
T
(+
jX
/
Z
o)
, O
R
C
A
PA
C
IT
IV
E
SU
SC
EP
TA
N C
E (
+jB
/ Y
o)
T
A
N
C
E
(-
jB
/
Y
o
)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
ZL
f3
f1
Z0 = 20
ZL
f3
f1
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR21010EU | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21180EU | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21180EU | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGRA10EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGRA10EU | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AGR21030EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR21045EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR21060E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR21060EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR21060EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
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