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參數(shù)資料
| 型號： | Am29PDS322DB10 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（2米× 16位），1.8伏的CMOS只（1.8伏至2.2 V）同步讀/寫頁模式引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 41/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 839K |
| 代理商： | AM29PDS322DB10 |
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40
Am29PDS322D
August 7, 2002
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
Addresses
V
CC
WE#
Data
2AAh
SA
t
AH
t
WP
t
WC
t
AS
t
WPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
t
DS
t
VCS
t
CS
t
DH
55h
t
CH
In
Progress
Complete
t
WHWH2
VA
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
t
RB
t
BUSY
Notes:
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see
“
Write Operation Status
”
).
Figure 20.
Chip/Sector Erase Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29PDS322DB12 | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| Am29PDS322DT12 | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| AM29PL160CB90EI | High Speed CMOS Logic 8-Bit Universal Shift Register with 3-State Outputs 20-CDIP -55 to 125 |
| AM29PL160CB-120 | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory |
| AM29PL160CB-120EI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only High Performance Page Mode Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29PL141BXA | 制造商:AMD 功能描述:* |
| AM29PL141DC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:USER PROGRAMMABLE SPECIAL FUNCTION ASIC, 28 Pin, DIP |
| AM29PL160CB-90SF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29PL160CB-90SI | 制造商:SOCO 功能描述: |
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