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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29PDS322DB10 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（2米× 16位），1.8伏的CMOS只（1.8伏至2.2 V）同步讀/寫頁模式引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 47/50頁 |
| 文件大小： | 839K |
| 代理商： | AM29PDS322DB10 |
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46
Am29PDS322D
August 7, 2002
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
Notes:
1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA = program address, SA = sector address, PD = program data.
3. DQ7# is the complement of the data written to the device. D
OUT
is the data written to the device.
4. Waveforms are for the word mode.
Figure 27.
Alternate CE# Controlled Write (Erase/Program) Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29PDS322DB12 | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
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