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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29PDS322DB10 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（2米× 16位），1.8伏的CMOS只（1.8伏至2.2 V）同步讀/寫頁(yè)模式引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 44/50頁(yè) |
| 文件大小： | 839K |
| 代理商： | AM29PDS322DB10 |
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August 7, 2002
Am29PDS322D
43
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
VHH
V
HH
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary
Sector/Sector Block Unprotect
Min
4
μs
t
RRB
RESET# Hold Time from RY/BY# High for
Temporary Sector/Sector Block Unprotect
Min
4
μs
RESET#
t
VIDR
V
ID
V
SS
, V
IL
,
or V
IH
V
ID
V
SS
, V
IL
,
or V
IH
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
t
RRB
Figure 25.
Temporary Sector Group Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29PDS322DB12 | 32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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