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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM41DL6408H8H70IS |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | TV 6C 6#20 PIN WALL RECP |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片封裝（MCP）閃存和SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 56/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1123K |
| 代理商： | AM41DL6408H8H70IS |
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54
Am41DL6408H
November 24, 2003
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
SRAM Read Cycle
Note:
CE1#s = OE# = V
IL
, CE2s = WE# = V
IH
, UB#s and/or LB#s = V
IL
Figure 29.
SRAM Read Cycle—Address Controlled
Parameter
Symbol
Description
Speed
Unit
71
70
85
t
RC
Read Cycle Time
Min
55
70
85
ns
t
AA
Address Access Time
Max
55
70
85
ns
t
CO1
, t
CO2
Chip Enable to Output
Max
55
70
85
ns
t
OE
Output Enable Access Time
Max
25
35
45
ns
t
BA
LB#s, UB#s to Access Time
Max
55
70
85
ns
t
LZ1
, t
LZ2
Chip Enable (CE1#s Low and CE2s High) to Low-Z
Output
Min
10
ns
t
BLZ
UB#, LB# Enable to Low-Z Output
Min
10
ns
t
OLZ
Output Enable to Low-Z Output
Min
5
ns
t
HZ1
, t
HZ2
Chip Disable to High-Z Output
Max
20
25
ns
t
BHZ
UB#s, LB#s Disable to High-Z Output
Max
20
25
ns
t
OHZ
Output Disable to High-Z Output
Max
20
25
ns
t
OH
Output Data Hold from Address Change
Min
10
ns
Address
Data Out
Previous Data Valid
Data Valid
t
AA
t
RC
t
OH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM41DL6408H8H70IT | TV 6C 6#20 PIN WALL RECP |
| AM41DL6408H8H71IS | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TVP00; No. of Contacts:6; Connector Shell Size:11; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Body Style:Straight |
| AM41DL6408H8H71IT | TV 6C 6#20 PIN WALL RECP |
| AM41DL6408H8H85IS | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM41DL6408H8H85IT | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM41DL6408H8H70IT | 制造商:AMD 制造商全稱(chēng):Advanced Micro Devices 功能描述:Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
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| AM41DL6408H8H85IT | 制造商:AMD 制造商全稱(chēng):Advanced Micro Devices 功能描述:Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
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